Name: DSS2515M-7B, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
Brand: DIODES INC.
SKU: DSS2515M-7B

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS2515M-7B, Bipolar Transistors - BJT SS Low ...

Подробное описание

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	9
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	15 V
collector-emitter saturation voltage:	250 mV
collector- emitter voltage vceo max:	15 V
configuration:	Single
continuous collector current:	500 mA
dc collector/base gain hfe min:	90 at 500 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo:	6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	10000
gain bandwidth product ft:	250 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	500 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	DFN1006-3
партномер	8005059688
pd - power dissipation:	400 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	DSS25
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	22:28:23

Отзывов нет

Кнопки

Теги: