DRDNB16W-7, Trans Digital BJT NPN 50V 600mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DRDNB16W-7
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberDRDNB16 ->
collector- emitter voltage vceo max18 V
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberDRDNB16 ->
collector- emitter voltage vceo max18 V
configurationSingle
continuous collector current600 mA
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)600mA
dc collector/base gain hfe min56
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce56 @ 50mA, 5V
длина2.2 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
frequency - transition200MHz
Высота 1 мм
hts8541.21.00.95
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)56
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum continuous dc collector current (ma)600
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)200
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain56@50mA@5V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.18 V
непрерывный коллекторный ток600 mA
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package height0.95
package length2.15
package width1.3
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed6
pd - power dissipation200 mW
pd - рассеивание мощности200 mW
peak dc collector current600 mA
пиковый постоянный ток коллектора600 mA
pin count6
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max200mW
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)1 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
seriesDRDNB16
серияDRDNB16
standard package nameSOT-26
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-363
supplier packageSOT-363
типичное входное сопротивление1 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityNPN
transistor typeNPN - Pre-Biased
typeNPN
typical current gain bandwidth (mhz)200
typical input resistor1 kOhms
typical input resistor (kohm)1
typical resistor ratio0.1
упаковка / блокSOT-363-6
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 2.5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль