DRDNB16W-7, 1 NPN - Pre Biased 200mW 600mA 50V SC-70-6(SOT-363) Digital Transistors ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DRDNB16W-7
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В, 600 мА, 200 МГц, 200 мВт, поверхностный монтаж SOT-363
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.04 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| base product number | DRDNB16 -> |
| collector- emitter voltage vceo max | 18 V |
| configuration | Single |
| current - collector cutoff (max) | 500nA |
| current - collector (ic) (max) | 600mA |
| dc collector/base gain hfe min | 56 |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 56 @ 50mA, 5V |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 3000 |
| frequency - transition | 200MHz |
| hts | 8541.21.00.95 |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Gull-wing |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum continuous dc collector current (ma) | 600 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 200 |
| military | No |
| minimum dc current gain | 56@50mA@5V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| package height | 0.95 |
| package length | 2.15 |
| package width | 01.03.2024 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8017597518 |
| part status | Active |
| pcb changed | 6 |
| pd - power dissipation | 200 mW |
| peak dc collector current | 600 mA |
| pin count | 6 |
| power - max | 200mW |
| product category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| reach status | REACH Unaffected |
| resistor - base (r1) | 1 kOhms |
| resistor - emitter base (r2) | 10 kOhms |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | DRDNB16 |
| standard package name | SOT-26 |
| subcategory | Transistors |
| supplier device package | SOT-363 |
| supplier package | SOT-363 |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN - Pre-Biased |
| type | NPN |
| typical current gain bandwidth (mhz) | 200 |
| typical input resistor | 1 kOhms |
| typical input resistor (kohm) | 1 |
| typical resistor ratio | 0.1 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 50V |
| Время загрузки | 22:28:31 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
