DPLS4140E-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DPLS4140E-13
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.6 mm
Высота 1.6 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 140V 4A 150MHz 1W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.6 mm
Высота 1.6 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberDPLS4140 ->
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 1A, 5V
длина6.5 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition150MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора10 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1.04@300mA@3A
maximum collector base voltage (v)180
maximum collector-emitter voltage (v)140
maximum dc collector current (a)4
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1000
maximum transition frequency (mhz)150(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100@10mA@5V|100@1A@5V|45@3A@5V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.140 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер360 mV
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
packagingTape and Reel
партномер8006698112
part statusNRND
pcb changed3
pd - рассеивание мощности1000 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max1W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки2500
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияDPLS4140
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic360mV @ 300mA, 3A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)140V
Время загрузки0:10:27
Ширина3.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль