DPLS350E-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DPLS350E-13
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:300 mV
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-223-4
партномер8005841098
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DPLS350
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:28:34
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль