DP0150BLP4-7, Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.1A 3-PIN SMT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DP0150BLP4-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DP0150BLP4-7, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.04.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.04.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:150 mV
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:200
dc current gain hfe max:200 at 2 mA, 6 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:80 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DFN3
партномер8005059668
pd - power dissipation:400 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DP0150
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:28:34
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль