Name: DNLS350E-13, Diodes Inc DNLS350E-13 NPN Transistor, 3 A, 50 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
SKU: DNLS350E-13

Биполярные транзисторы - BJT NPN 1W

Подробное описание

22 ₽

– +

Бонус: 0.44 !

Бонусная программа

Итого: 22 ₽

Купить

Биполярные транзисторы - BJT NPN 1W

Вес и габариты
длина	6.5 mm
Высота	1.6 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	3 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	290 mV
непрерывный коллекторный ток	3 A
pd - рассеивание мощности	1000 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	100 MHz
размер фабричной упаковки	2500
серия	DNLS350
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-223-4
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	3.5 мм

Отзывов нет

Кнопки