DNLS350E-13, 50V 1W 3A NPN SOT-223-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DNLS350E-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DNLS350E-13, 50V 1W 3A NPN SOT-223-3 Bipolar ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.24
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
58
+
Бонус: 1.16 !
Бонусная программа
Итого: 58
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN 1W
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.24
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина6.5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
maximum collector base voltage60 V
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current3 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain200
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер290 mV
непрерывный коллекторный ток3 A
number of elements per chip1
package typeSOT-223
партномер8017601930
pd - рассеивание мощности1000 mW
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки2500
серияDNLS350
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:02:36
Ширина3.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль