DNBT8105-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DNBT8105-7
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 60V 1A 150MHz 600mW Surface Mount SOT-23-3
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberDNBT8105 ->
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage500 mV
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc collector/base gain hfe min30 at 2 A, 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 500mA, 5V
длина2.9 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
frequency - transition150MHz
gain bandwidth product ft150 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 2 A, 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current2 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation600 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8006619430
pd - power dissipation300 mW
pd - рассеивание мощности300 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max600mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesDNBT8
серияDNBT8
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-23-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки22:31:58
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль