- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 1A
Дата загрузки | 22.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.02 |
Высота | 1 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | DIODES INC. |
Бренд | DIODES INC. |
Основные | |
base product number | DNBT8105 -> |
collector- base voltage vcbo | 80 V |
collector-emitter saturation voltage | 500 mV |
collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
configuration | Single |
current - collector cutoff (max) | 100nA |
current - collector (ic) (max) | 1A |
dc collector/base gain hfe min | 30 at 2 A, 5 V |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 500mA, 5V |
длина | 2.9 mm |
eccn | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
factory pack quantity | 3000 |
frequency - transition | 150MHz |
gain bandwidth product ft | 150 MHz |
htsus | 8541.21.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 2 A, 5 V |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
manufacturer | Diodes Incorporated |
maximum collector base voltage | 80 V |
maximum collector emitter voltage | 60 V |
maximum dc collector current | 2 A |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum power dissipation | 600 mW |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 100 |
minimum operating temperature | -55 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
package type | SOT-23 |
packaging | Cut Tape or Reel |
партномер | 8020691152 |
pd - power dissipation | 300 mW |
pd - рассеивание мощности | 300 mW |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power - max | 600mW |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
product type | BJTs-Bipolar Transistors |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
размер фабричной упаковки | 3000 |
reach status | REACH Unaffected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | DNBT8 |
серия | DNBT8 |
subcategory | Transistors |
supplier device package | SOT-23-3 |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Diodes Incorporated |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | NPN |
transistor type | NPN |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 100mA, 1A |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 60V |
Время загрузки | 21:54:23 |
Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26