DNBT8105-7, Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DNBT8105-7
Биполярные транзисторы - BJT 1A
Вес и габариты
base product numberDNBT8105 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 1A
Вес и габариты
base product numberDNBT8105 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 500mA, 5V
длина2.9 mm
eccnEAR99
frequency - transition150MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 2 A, 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max600mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияDNBT8
supplier device packageSOT-23-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль