DN3535N8-G, Транзистор МОП n-канальный, 350В, 200мА, 1,6Вт, SOT89-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DN3535N8-G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip DN3535N8-G, Транзистор МОП n-канальный, 350В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.09
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
400
+
Бонус: 8 !
Бонусная программа
Итого: 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.09
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
automotiveNo
channel modeDepletion
channel mode:Depletion
channel typeN
configurationSingle Dual Drain
configuration:Single
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
fall time:20 ns
id - continuous drain current:230 mA
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
materialSi
maximum continuous drain current (a)0.23
maximum drain source resistance (mohm)10000@0V
maximum drain source voltage (v)350
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±20
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1600
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
number of elements per chip1
package / case:SOT-89-3
packagingTape and Reel
партномер8002546223
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation:1.6 W
pin count4
ppapNo
process technologyDMOS
product:MOSFET Small Signal
product categoryPower MOSFET
product category:MOSFET
product type:MOSFET
rds on - drain-source resistance:10 Ohms
rise time:20 ns
subcategory:MOSFETs
supplier packageSOT-89
tabTab
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
type:FET
typical fall time (ns)30(Max)
typical input capacitance @ vds (pf)360(Max)@25V
typical rise time (ns)20(Max)
typical turn-off delay time:20 ns
typical turn-off delay time (ns)20(Max)
typical turn-on delay time:15 ns
typical turn-on delay time (ns)15(Max)
vds - drain-source breakdown voltage:350 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:3.5 V
Время загрузки2:20:43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль