DN350T05-7, Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:DN350T05-7
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Вес и габариты
collector- base voltage vcbo
350 V
collector-emitter saturation voltage
1 V
collector- emitter voltage vceo max
350 V
configuration
Single
dc collector/base gain hfe min
15 at 100 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo
5 V
factory pack quantity
3000
gain bandwidth product ft
50 MHz
manufacturer
Diodes Incorporated
maximum dc collector current
500 mA
maximum operating temperature
+150 C
minimum operating temperature
-55 C
mounting style
SMD/SMT
package / case
SOT-23-3
packaging
Cut Tape or Reel
pd - power dissipation
300 mW
product category
Bipolar Transistors-BJT
product type
BJTs-Bipolar Transistors
series
DN350
subcategory
Transistors
transistor polarity
NPN
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26