DN2535N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 350В, 150мА, 1Вт, TO92

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DN2535N3-G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip DN2535N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 350В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 350 В 120 мА (Tj) 1 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-92 (TO-226)
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
base product numberDN2535 ->
channel modeDepletion
channel typeN
current - continuous drain (id) @ 25в°c120mA (Tj)
drain to source voltage (vdss)350V
drive voltage (max rds on, min rds on)0V
eccnEAR99
fet featureDepletion Mode
fet typeN-Channel
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds300pF @ 25V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum continuous drain current120 mA
maximum drain source resistance25 Ω
maximum drain source voltage350 V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
package typeTO-92
партномер8002600689
pcn assembly/originhttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
pin count3
power dissipation (max)1W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs25Ohm @ 120mA, 0V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesDN2535
supplier device packageTO-92 (TO-226)
technologyMOSFET (Metal Oxide)
transistor materialSilicon
vgs (max)В±20V
Время загрузки2:20:46
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль