DN2530N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 300В, 200мА, 1,6Вт, SOT89-3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DN2530N3-G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.22 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Microchip Technology |
| Бренд | Microchip Technology |
| Основные | |
| automotive | No |
| channel mode | Depletion |
| channel mode: | Depletion |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| eccn (us) | ear99 |
| eu rohs | compliant |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
| fall time: | 20 ns |
| forward transconductance - min: | 300 mS |
| id - continuous drain current: | 175 mA |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| manufacturer: | Microchip |
| material | Si |
| maximum continuous drain current (a) | 0.175 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 12000@0V |
| maximum drain source voltage (v) | 300 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 740 |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Through Hole |
| mounting style: | Through Hole |
| number of channels: | 1 Channel |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case: | TO-92-3 |
| packaging | Bag |
| packaging: | Bulk |
| партномер | 8002597497 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 740 mW |
| pin count | 3 |
| ppap | No |
| process technology | DMOS |
| product: | MOSFET Small Signal |
| product category | Power MOSFET |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| rds on - drain-source resistance: | 12 Ohms |
| rise time: | 15 ns |
| standard package name | TO |
| subcategory: | MOSFETs |
| supplier package | TO-92 |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | N-Channel |
| transistor type: | 1 N-Channel |
| type: | FET |
| typical fall time (ns) | 20(Max) |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 300(Max)@25V |
| typical rise time (ns) | 15(Max) |
| typical turn-off delay time: | 15 ns |
| typical turn-off delay time (ns) | 15(Max) |
| typical turn-on delay time: | 10 ns |
| typical turn-on delay time (ns) | 10(Max) |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 300 V |
| vgs - gate-source voltage: | -20 V, +20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 3.5 V |
| Время загрузки | 2:18:14 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
