DMN6040SSD-13, Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN6040SSD-13
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Dual Dual Drain |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество выводов | 8вывод(-ов) |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| maximum continuous drain current | 6.6 A |
| maximum continuous drain current (a) | 5 |
| maximum diode forward voltage (v) | 01.02.2024 |
| maximum drain source resistance | 55 mΩ |
| maximum drain source resistance (mohm) | 40@10V |
| maximum drain source voltage | 60 V |
| maximum drain source voltage (v) | 60 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage | -20 V, +20 V |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage | 3V |
| maximum gate threshold voltage (v) | 3 |
| maximum idss (ua) | 0.1 |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum positive gate source voltage (v) | 20 |
| maximum power dissipation | 1.7 W |
| maximum power dissipation (mw) | 1700 |
| minimum operating temperature | -55 °C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение истока-стока vds | 60В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 5А |
| number of elements per chip | 2 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| package type | SOIC |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8001042178 |
| part status | Active |
| pcb changed | 8 |
| pin count | 8 |
| полярность транзистора | N Канал |
| пороговое напряжение vgs | 3В |
| ppap | No |
| product category | Power MOSFET |
| рассеиваемая мощность | 1.3Вт |
| standard package name | SO |
| стиль корпуса транзистора | SOIC |
| supplier package | SO |
| supplier temperature grade | Automotive |
| transistor configuration | Isolated |
| transistor material | Si |
| typical fall time (ns) | 4 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 22.04.2024 |
| typical gate charge @ vgs | 22.4 nC @ 10 V |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 22.4@10V|10.4@4.5V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 1287@25V |
| typical rise time (ns) | 08.01.2024 |
| typical turn-off delay time (ns) | 20.01.2024 |
| typical turn-on delay time (ns) | 06.06.2024 |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| Время загрузки | 21:54:28 |
| width | 3.95mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
