Name: DMMT5551S-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Brand: DIODES INC.
SKU: DMMT5551S-7-F

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DMMT5551S-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

Подробное описание

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.

Все характеристики

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTМатрица биполярных (BJT) транзисторов 2 NPN (двойная) согласованная пара 160 В, 200 мА, 300 МГц, 300 мВт, поверхностный монтаж, SOT-26

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
base product number	DMMT5551 ->
collector- base voltage vcbo:	180 V
collector-emitter saturation voltage:	200 mV
collector- emitter voltage vceo max:	160 V
configuration:	Dual
current - collector cutoff (max)	50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	200mA
dc collector/base gain hfe min:	30 at 50 mA, 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	80 @ 10mA, 5V
eccn	EAR99
emitter- base voltage vebo:	6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
frequency - transition	300MHz
gain bandwidth product ft:	300 MHz
htsus	8541.21.0075
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	200 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting style:	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	SOT-23-6
package / case:	SOT-26-6
партномер	8004613368
pd - power dissipation:	300 mW
power - max	300mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
series:	DMMT5551
subcategory:	Transistors
supplier device package	SOT-26
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
transistor type	2 NPN (Dual) Matched Pair
vce saturation (max) @ ib, ic	200mV @ 5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)	160V
Время загрузки	22:32:00

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

DIODES INC.Транзисторы биполярные (BJTs)DMMT5551S-7-F