DMMT5551-7-F, Diodes Incorporated

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMMT5551-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DMMT5551-7-F, Diodes Incorporated
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
37
+
Бонус: 0.74 !
Бонусная программа
Итого: 37
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTTrans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
collector-emitter breakdown voltage160V
configurationDual
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
maximum base emitter saturation voltage (v)1@1mA@10mA|1@5mA@50mA
maximum collector base voltage (v)180
maximum collector cut-off current (na)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA
maximum collector-emitter voltage (v)160
maximum dc collector current200mA
maximum dc collector current (a)0.2
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)300
minimum dc current gain80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip2
packagingTape and Reel
партномер8003545319
part statusActive
pcb changed6
pd - power dissipation300mW
pin count6
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
standard package nameSOT
supplier packageSOT-26
transistor type2 NPNпј€Doubleпј‰Pairing
typeNPN
Время загрузки21:59:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль