DJT4031N-13, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DJT4031N-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DJT4031N-13, Bipolar Transistors - BJT LOW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 40V 3A 105MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberDJT4031 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 1A, 1V
eccnEAR99
frequency - transition105MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:Биполярные транзисторы-BJT
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+150 C
максимальный постоянный ток коллектора:5 A
минимальная рабочая температура:-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo):6 V
напряжение коллектор-база (vcbo):40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:300 mV
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
партномер8004613353
pd - рассеивание мощности:2000 mW
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
power - max1.2W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):105 MHz
производитель:Diodes Incorporated
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:2500
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серия:DJT4031
supplier device packageSOT-223
технология:Si
тип продукта:BJTs-Bipolar Transistors
торговая марка:Diodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блок:SOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 300mA, 3A
вид монтажа:SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки22:32:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль