DDTD122TU-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В, 500 мА, 200 МГц, 200 мВт, поверхностный монтаж, SOT-323
Вес и габариты
base product numberDDTD122 ->
current - collector cutoff (max)500nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
78
+
Бонус: 1.56 !
Бонусная программа
Итого: 78
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В, 500 мА, 200 МГц, 200 мВт, поверхностный монтаж, SOT-323
Вес и габариты
base product numberDDTD122 ->
current - collector cutoff (max)500nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 5mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut Tape (CT)Digi-Ree
package / caseSC-70, SOT-323
power - max200mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)220 Ohms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-323
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 2.5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль