DDTD113ZC-7-F, Diodes Inc DDTD113ZC-7-F NPN Digital Transistor, 500 mA, 3-Pin SOT-23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DDTD113ZC-7-F
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K 10K
Вес и габариты
base product numberDDTD113 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)500mA
9
+
Бонус: 0.18 !
Бонусная программа
Итого: 9
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K 10K
Вес и габариты
base product numberDDTD113 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce56 @ 50mA, 5V
длина3.05 mm
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)56
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
непрерывный коллекторный ток500 mA
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
пиковый постоянный ток коллектора500 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max200mW
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)1 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
серияDDTD113
supplier device packageSOT-23-3
типичное входное сопротивление1 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN - Pre-Biased
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 2.5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль