DDTD113ZC-7-F, Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 1K 10K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DDTD113ZC-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DDTD113ZC-7-F, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
91
+
Бонус: 1.82 !
Бонусная программа
Итого: 91
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K 10K
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberDDTD113 ->
collector emitter voltage max50В
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce56 @ 50mA, 5V
длина3.05 mm
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
количество выводов3 Вывода
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)56
конфигурацияSingle
корпус рч транзистораSOT-23
линейка продукцииDDTDxC Series
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum dc collector current500 mA
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation200 mW
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер50В
непрерывный коллекторный ток500 mA
непрерывный коллекторный ток ic500мА
number of elements per chip1
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8005058681
пиковый постоянный ток коллектора500 mA
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
полярность цифрового транзистораОдиночный NPN
power dissipation200мВт
power - max200mW
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)1 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
резистор база-эмиттер r210кОм
резистор на входе базы r11кОм
rohs statusROHS3 Compliant
серияDDTD113
стиль корпуса транзистораSOT-23
supplier device packageSOT-23-3
типичное входное сопротивление1 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN - Pre-Biased
typical input resistor1 kΩ
typical resistor ratio0.1
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 2.5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки22:24:10
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль