DDTD113EC-7-F, 33@50mA,5V 300mV@50mA,2.5mA 1 NPN - Pre Biased 200MHz 200mW 500mA 50V 500nA SOT-23-3 Digital Transistors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DDTD113EC-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DDTD113EC-7-F, 33@50mA,5V 300mV@50mA,2.5mA 1 ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
33
+
Бонус: 0.66 !
Бонусная программа
Итого: 33
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт поверхностный монтаж SOT-23-3
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberDDTD113 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce33 @ 50mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8017678500
power - max200mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)1 kOhms
resistor - emitter base (r2)1 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-23-3
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 2.5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки22:02:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль