DDTC115EE-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 100K100K
Вес и габариты
длина1.6 mm
Высота 0.75 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
86
+
Бонус: 1.72 !
Бонусная программа
Итого: 86
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 100K100K
Вес и габариты
длина1.6 mm
Высота 0.75 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.82
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)82
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
непрерывный коллекторный ток20 mA
пиковый постоянный ток коллектора20 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
серияDDTC115
типичное входное сопротивление100 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-523-3
вес, г0.002
вид монтажаSMD/SMT
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль