DDTC114ECA-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Транзисторы цифровые (BRTs) Diodes DDTC114ECA-7-F
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
65
+
Бонус: 1.3 !
Бонусная программа
Итого: 65
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 200 мВт поверхностный монтаж SOT-23-3
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberDDTC114 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 5mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current100mA
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation200 mW
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8006571070
pd - power dissipation200mW
pin count3
power - max200mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)10 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-23-3
transistor configurationSingle
transistor typeNPN - Pre-Biased
typical input resistor10 kΩ
typical resistor ratio1
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки21:07:07
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль