Name: DDC114TU-7-F, Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 200mW
Brand: DIODES INC.
SKU: DDC114TU-7-F

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DDC114TU-7-F, Bipolar Transistors - ...

Подробное описание

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.006
Высота	1 mm
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.

Все характеристики

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 200mW

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.006
Высота	1 mm
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
base product number	DDC114 ->
current - collector (ic) (max)	100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	100 @ 1mA, 5V
длина	2.2 mm
eccn	EAR99
frequency - transition	250MHz
htsus	8541.21.0075
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	600
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
конфигурация	Dual
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	0.1 A
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
партномер	8005058595
pd - рассеивание мощности	200 mW
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
power - max	200mW
размер фабричной упаковки	3000
reach status	REACH Unaffected
resistor - base (r1)	10kOhms
rohs status	ROHS3 Compliant
серия	DDC114
supplier device package	SOT-363
типичное входное сопротивление	10 kOhms
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	Diodes Incorporated
transistor type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Тип	NPN Pre-Biased Small Signal SOT-363 Dual Surface M
упаковка / блок	SOT-363-6
vce saturation (max) @ ib, ic	300mV @ 100ВµA, 1mA
вид монтажа	SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)	50V
Время загрузки	22:23:53
Ширина	1.35 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

DIODES INC.Транзисторы биполярные (BJTs)DDC114 DDC114TU-7-F