DDA123JU-7-F, Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 2.2K 47K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DDA123JU-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DDA123JU-7-F, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Dual
continuous collector current:100 mA
dc collector/base gain hfe min:80
dc current gain hfe max:80
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-363-6
партномер8005058590
pd - power dissipation:200 mW
peak dc collector current:100 mA
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
series:DDA123
subcategory:Transistors
transistor polarity:PNP
typical input resistor:2.2 kOhms
typical resistor ratio:0.05
Время загрузки22:24:02
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль