DCX114EU-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DCX114EU-7-F
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
91
+
Бонус: 1.82 !
Бонусная программа
Итого: 91
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 200 мВт поверхностный монтаж SOT-363
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberDCX114 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 5mA, 5V
длина2.2 mm
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.600
количество каналов2 Channel
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
партномер8006773541
pd - рассеивание мощности200 mW (1/5 W)
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
power - max200mW
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)10kOhms
resistor - emitter base (r2)10kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
серияDCX114
supplier device packageSOT-363
типичное входное сопротивление10 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ТипComplementary NPN/PNP Pre-Biased Small Signal SOT-
упаковка / блокSOT-363-6
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500ВµA, 10mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки22:23:37
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль