CXT5551 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 6.0V 600mA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CXT5551 TR PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central CXT5551 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
370
+
Бонус: 7.4 !
Бонусная программа
Итого: 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 6.0V 600mA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:180 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:160 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
партномер8004612139
pd - power dissipation:1.2 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:26:51
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль