CPH6122-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 30V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CPH6122-TL-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor CPH6122-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:30 V
collector-emitter saturation voltage:180 mV
collector- emitter voltage vceo max:30 V
configuration:Single
continuous collector current:-3 A
dc collector/base gain hfe min:200
dc current gain hfe max:560
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:400 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-26-6
партномер8005368972
pd - power dissipation:1.3 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:CPH6122
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:04:13
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль