CMPTA42E TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Enhanced High Voltage

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CMPTA42E TR PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central CMPTA42E TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:350 V
collector-emitter saturation voltage:125 mV
collector- emitter voltage vceo max:350 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc collector/base gain hfe min:50
dc current gain hfe max:110
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:50 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23
партномер8004700492
pd - power dissipation:350 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:26:22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль