Биполярные транзисторы - BJT Complementary Trans 80Vcbo 80Vceo 6.0ebo

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Биполярные транзисторы - BJT Complementary Trans 80Vcbo 80Vceo 6.0ebo

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
pd - рассеивание мощности	350 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	150 MHz
размер фабричной упаковки	3000
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Central Semiconductor
упаковка / блок	SOT-23
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

CMPT8099 TR PBFREE