CMPT5551 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN GP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CMPT5551 TR PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central CMPT5551 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:180 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:160 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:80
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23
партномер8005049995
pd - power dissipation:350 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:26:06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль