CMPT3019 TR PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central CMPT3019 TR PBFREE
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота 0.96 мм
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 80V 500mA 400MHz 350mW Surface Mount SOT-23
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота 0.96 мм
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:140 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
current - collector cutoff (max)10nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc collector/base gain hfe min:60
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
длина3.05 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
frequency - transition400MHz
gain bandwidth product ft:400 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package / case:SOT-23
партномер8006680313
pd - power dissipation:350 mW
pd - рассеивание мощности350 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max350mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
subcategory:Transistors
supplier device packageSOT-23
technology:Si
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаCentral Semiconductor
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки0:25:51
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль