BUV22G, Bipolar Transistors - BJT 40A 250V 250W NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BUV22G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BUV22G, Bipolar Transistors - BJT 40A 250V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.06.2024
Высота8.51 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
6 560
+
Бонус: 131.2 !
Бонусная программа
Итого: 6 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 40A 250V 250W NPN
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.06.2024
Высота8.51 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина38.86 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора40 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)300 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.250 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток40 A
партномер8005368759
pd - рассеивание мощности250 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)8 MHz
размер фабричной упаковки100
серияBUV22
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTray
упаковка / блокTO-204-2
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:55:02
Ширина26.67 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль