BUT11AFTU, Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 5А, 40Вт, TO220F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BUT11AFTU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BUT11AFTU, Транзистор: NPN, биполярный, 450В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.02.2024
Высота9.19 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
560
+
Бонус: 11.2 !
Бонусная программа
Итого: 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.02.2024
Высота9.19 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина10.16 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
maximum collector base voltage1000 V
maximum collector emitter voltage450 V
maximum dc collector current5 A
maximum emitter base voltage9 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation40 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain0
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)9 V
напряжение коллектор-база (vcbo)1 kV
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.450 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток5 A
number of elements per chip1
package typeTO-220F
партномер8008479372
pd - рассеивание мощности40000 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки1000
серияBUT11AF
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:55:04
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль