BUL742C

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BUL742C
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота9.15 mm
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементBUL742C Series NPN 400 V 4 A Fast Switching Power Transistor - TO-220
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота9.15 mm
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberBUL742 ->
collector- base voltage vcbo1.05 kV
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector- emitter voltage vceo max400 V
configurationSingle
continuous collector current4 A
current - collector cutoff (max)250ВµA
current - collector (ic) (max)4A
dc collector/base gain hfe min48
dc current gain hfe max100
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce25 @ 800mA, 3V
длина10.4 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo12 V
factory pack quantity1000
height9.15 mm(Max)
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.100
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)48
конфигурацияSingle
length10.4 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum dc collector current4 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)12 V
напряжение коллектор-база (vcbo)1.05 kV
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.400 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
непрерывный коллекторный ток4 A
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3
packagingTube
партномер8001992239
pd - power dissipation70 W
pd - рассеивание мощности70 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max70W
product categoryBipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
series500V to 1000V Transistors
серияBUL742C
supplier device packageTO-220AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
unit weight0.211644 oz
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 1A, 3.5A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Время загрузки14:03:41
Ширина4.6 мм
width4.6 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль