Name: BUL45D2G, BUL45D2G NPN Transistor, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-220
Brand: ON Semiconductor***
SKU: BUL45D2G

BUL45D2G, BUL45D2G NPN Transistor, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-220

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BUL45D2G, BUL45D2G NPN Transistor, 10 A ...

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

670 ₽

– +

Бонус: 13.4 !

Бонусная программа

Итого: 670 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThe BUL45D2 is state-of-art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread 150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications.

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft	13МГц
collector- base voltage vcbo	700 V
collector-emitter saturation voltage	0.46 V
collector emitter voltage max	400В
collector- emitter voltage vceo max	400 V
configuration	Single
continuous collector current	5 A
dc collector/base gain hfe min	22
dc current gain hfe max	34
dc current gain hfe min	10hFE
dc усиление тока hfe	10hFE
emitter- base voltage vebo	12 V
factory pack quantity	50
gain bandwidth product ft	13 MHz
height	15.75 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	-
length	10.53 mm
линейка продукции	-
максимальная рабочая температура	150°C
manufacturer	ON Semiconductor
maximum collector base voltage	700 V dc
maximum collector emitter voltage	400 V dc
maximum dc collector current	10 A
maximum emitter base voltage	12 V dc
maximum operating frequency	1 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	75 W
minimum dc current gain	22
minimum operating temperature	-65 C
монтаж транзистора	Through Hole
mounting style	Through Hole
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
package / case	TO-220-3
package type	TO-220
packaging	Tube
партномер	8014870172
pd - power dissipation	75 W
pin count	3
полярность транзистора	NPN
power dissipation	75Вт
product category	Bipolar Transistors-BJT
rohs	Details
series	BUL45D2
стиль корпуса транзистора	TO-220
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
unit weight	0.211644 oz
Время загрузки	0:55:07
width	4.83 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)BUL45D2G