BUL128D-B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BUL128D-B
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.97
Высота15.75 mm
Высота 15.75 мм
Информация о производителе
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементBUL128 Series NPN 700V 4 A High Voltage Fast-Switching Power Transistor - TO-220
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.97
Высота15.75 mm
Высота 15.75 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
collector- base voltage vcbo700 V
collector- emitter voltage vceo max400 V
configurationSingle
длина10.4 mm
emitter- base voltage vebo9 V
factory pack quantity1000
height15.75 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
length10.4 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum dc collector current4 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)9 V
напряжение коллектор-база (vcbo)700 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.400 V
package / caseTO-220-3
packagingTube
партномер8009921909
pd - power dissipation70000 mW
pd - рассеивание мощности70000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки1000
rohsDetails
series500V Transistors
серияBUL128D-B
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor polarityNPN
unit weight0.211644 oz
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки14:03:46
Ширина4.6 мм
width4.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль