BUL1102EFP, Bipolar Transistors - BJT High volt fast-switching NPN power transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BUL1102EFP
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BUL1102EFP, Bipolar Transistors - BJT High ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.57
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.57
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberBUL1102 ->
collector-emitter saturation voltage:1.5 V
collector- emitter voltage vceo max450 V
collector- emitter voltage vceo max:450 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current4 A
continuous collector current:4 A
current - collector cutoff (max)100ВµA
current - collector (ic) (max)4A
dc collector/base gain hfe min35 at 250 mA at 5 V, 12 at 2 A at 5 V
dc collector/base gain hfe min:35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce12 @ 2A, 5V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo12 V
emitter- base voltage vebo:12 V
factory pack quantity1000
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
height16.4 mm
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.4 mm
manufacturerSTMicroelectronics
manufacturer:STMicroelectronics
maximum collector emitter voltage450 V
maximum dc collector current4 A
maximum dc collector current:4 A
maximum emitter base voltage12 V
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation70 W
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleThrough Hole
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
package/case:TO-220FP-3
package typeTO-220FP
packagingTube
packaging:Tube
партномер8004583260
pd - power dissipation30 W
pd - power dissipation:30 W
pin count3
power - max30W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
seriesBUL1102E
series:BUL1102E
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-220 Full Pack
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 400mA, 2A
voltage - collector emitter breakdown (max)450V
Время загрузки13:57:05
width4.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль