Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PTD IGBT & IPM

Подробное описание

360 ₽

– +

Бонус: 7.2 !

Бонусная программа

Итого: 360 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	10.4 mm
Высота	15.75 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	4 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	12 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	450 V
непрерывный коллекторный ток	4 A
pd - рассеивание мощности	70 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	1000
серия	BUL1102E
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
Ширина	4.6 мм

Отзывов нет

Кнопки

BUL1102E