BUL1102E, Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 2 А, 70 Вт, TO-220, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BUL1102E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BUL1102E, Биполярный транзистор, NPN, 450 В ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PTD IGBT & IPM
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
длина10.4 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)12 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.450 V
непрерывный коллекторный ток4 A
партномер8802738098
pd - рассеивание мощности70 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки1000
серияBUL1102E
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки13:57:07
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль