BUJ302AX,127, Bipolar Transistors - BJT NPN 400 V 4 A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BUJ302AX,127
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) WeEn BUJ302AX,127, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.09.2024
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.09.2024
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
Основные
collector-emitter saturation voltage:600 mV
collector- emitter voltage vceo max:400 V
configuration:Single
continuous collector current:4:00 AM
dc collector/base gain hfe min:25
dc current gain hfe max:100
emitter- base voltage vebo:19 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:WeEn Semiconductors
maximum dc collector current:4:00 AM
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-220F-3
партномер8004727491
part # aliases:9,34E+11
pd - power dissipation:26 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки23:14:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль