BUB323ZT4G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 350 В, 10 А, 150 Вт, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BUB323ZT4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BUB323ZT4G, Биполярный транзистор ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.911
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
780
+
Бонус: 15.6 !
Бонусная программа
Итого: 780
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.911
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max:350 V
configuration:Single
continuous collector current:10 A
dc collector/base gain hfe min:500
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:800
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:10 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:TO-263-3(D2PAK)
партномер8458627247
pd - power dissipation:150 W
product category:Darlington Transistors
product type:Darlington Transistors
series:BUB323Z
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:55:09
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль