Name: BU406G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BU406G

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	2.91
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

280 ₽

– +

Бонус: 5.6 !

Бонусная программа

Итого: 280 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, NPN, 200V, TO-220-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:60W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	2.91
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
число контактов	3
collector- base voltage vcbo	400 V
collector-emitter saturation voltage	1 V
collector- emitter voltage vceo max	200 V
configuration	Single
continuous collector current	7 A
emitter- base voltage vebo	6 V
factory pack quantity	50
gain bandwidth product ft	10 MHz
height	9.28 mm(Max)
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество элементов на ис	1
конфигурация транзистора	Одинарный
length	10.28 mm(Max)
максимальное напряжение эмиттер-база	6 В
manufacturer	ON Semiconductor
maximum base emitter saturation voltage	1,2 В пост. тока
maximum collector emitter saturation voltage	1 В пост. тока
maximum collector emitter voltage	400 V dc
maximum continuous collector current	7 A
maximum dc collector current	7 A
maximum emitter base voltage	6 V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	60 Вт
minimum operating temperature	-65 C
mounting style	Through Hole
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
package / case	TO-220-3
package type	TO-220
packaging	Tube
партномер	8002986610
pd - power dissipation	60 W
pin count	3
product category	Bipolar Transistors-BJT
размеры	10.53 x 4.83 x 9.28мм
rohs	Details
series	BU406
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
тип транзистора	NPN
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
unit weight	0.211644 oz
Время загрузки	0:45:29
Ширина	4.83 мм
width	4.82 mm(Max)

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)BU406G