BSV52LT1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 12V Switching NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSV52LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BSV52LT1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 100mA 12V Switching NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-база (vcbo)20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8005525961
pd - рассеивание мощности225 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)400 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияBSV52L
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:04:23
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль