BST52TA, 80V 1000@10V,150mA NPN 10uA 500mA -55°C~+150°C@(Tj) 1W 1.3V@500mA,500uA SOT-89-3 DarlIngton TransIstors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BST52TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BST52TA, 80V 1000@10V,150mA NPN 10uA 500mA ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:90 V
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:0.5 A
dc collector/base gain hfe min:1000 at 150 mA at 10 V, 2000 at 500 mA at 10 V
dc current gain hfe max:1000
emitter- base voltage vebo:10 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage1.9 V
maximum collector base voltage90 V
maximum collector emitter saturation voltage1.3 V
maximum collector emitter voltage80 V
maximum continuous collector current500 mA
maximum dc collector current:0.5 A
maximum emitter base voltage10 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation1 W
minimum dc current gain1000
minimum operating temperature-65 °C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-89
package typeSOT-89
партномер8017602088
pd - power dissipation:1 W
pin count3
product category:Darlington Transistors
product type:Darlington Transistors
series:BST52
subcategory:Transistors
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки22:23:42
width2.6mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль