Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS HV TAPE-7

Подробное описание

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	80V
длина	3 mm
другие названия товара №	BSS64 T/R

92 ₽

– +

Бонус: 1.84 !

Бонусная программа

Итого: 92 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS HV TAPE-7

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	80V
длина	3 mm
другие названия товара №	BSS64 T/R
Высота	1 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	60 at 1 mA at 1 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
maximum dc collector current	100mA
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
pd - power dissipation	250mW
pd - рассеивание мощности	250 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	100 MHz
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
transistor type	NPN
упаковка / блок	SOT-23-3
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.4 мм

Отзывов нет

Кнопки

BSS64,215