BSR33QTA, 100nA 80V 1W 100@100mA,5V 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP -65°C~+150°C@(Tj) SOT-89-4 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSR33QTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BSR33QTA, 100nA 80V 1W 100@100mA,5V 1A 100MHz ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
90
+
Бонус: 1.8 !
Бонусная программа
Итого: 90
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Trans
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)90 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
партномер8017630662
pd - рассеивание мощности2.1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияBSR33
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:23:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль