BSP52T3G, Darlington Transistors SS DL XSTR NPN 80V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSP52T3G
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.008 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
maximum base emitter saturation voltage | 1.9 V |
maximum collector base voltage | 90 V |
maximum collector emitter saturation voltage | 1.3 V |
maximum collector emitter voltage | 80 V |
maximum continuous collector current | 1 A |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum power dissipation | 125 W |
minimum dc current gain | 2000 |
minimum operating temperature | -65 °C |
mounting type | Surface Mount |
number of elements per chip | 1 |
package type | SOT-223 |
партномер | 8005368725 |
pin count | 3+Tab |
transistor configuration | Single |
transistor type | NPN |
Время загрузки | 2:04:25 |
width | 3.7mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26